Négyrétegű diódák

A négyrétegű diódák szilícium alapkristályból készült félvezető eszközök. A PNPN félvezető rétegei három váltakozó irányú PN-átmenetet alkotnak.
Négyrétegű diódák áramköri jelölések Négyrétegű diódák elvi felépítése A három PN-átmenet mindegyike egy-egy elemi diódát alkot. A négyrétegű félvezető (tirisztordióda) anódja erősen szennyezett P-típusú réteg, katódja erősen szennyezett N-típusú réteg. A köztes rétegek szennyezettsége nagyságrendekkel kisebb. A rétegek különböző szennyezettsége záróirányban kis visszáramot, nyitóirányban magas billenési feszültséget eredményez.

Jelleggörbe meghatározásához szükséges kapcsolás

Négyrétegű diódák működési jelleggörbe

A négyrétegű diódák szilícium alapkristályból készült félvezető eszközök.